Fundraising September 15, 2024 – October 1, 2024 About fundraising

МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических...

Main
Technique - Electronics: VLSI
МОП-СБИС. Моделирование элементов и...

МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов

Антонетти П. (ред)

0 / 0

How much do you like this book?

What’s the quality of the file?

Download the book for quality assessment

What’s the quality of the downloaded files?

Categories:

Technique - Electronics: VLSI

Year:

1988

Language:

russian

Pages:

495

ISBN 10:

5256001302

ISBN 13:

9785256001308

File:

DJVU, 7.75 MB

IPFS:

,

russian, 1988

Read Online

Conversion to is in progress

Conversion to is failed

You may be interested in

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Любов, Борис Яковлевич — Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах

Поут Дж.М. (ред) — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Арсентьев А.В. — Математическое моделирование технологических процессов и интегральных схем

Реньян В.Р. — Технология полупроводникового кремния

Фистуль В.И. — Амфотерные примеси в полупроводниках

Под ред. Дж.М. Поута и др.; Пер. с англ. Н.К. Мышкина и др.; Под ред. А.А. Углова — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. — Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Каменская А.В., Дикарева Р.П. — Технологические процессы в микроэлектронике

Зятьков И.И., Юрченко Е.П. — Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем

Джафаров Т.Д. — Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах

— Вторая конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. г. Москва, 23-25 октября 1972 г

Захарова И.Б. — Физические основы микро - и нанотехнологий

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Рейви К. — Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Колобов Н.А., Самохвалов М.М. — Диффузия и окисление полупроводников

Земсков В.С. — Легированные полупроводниковые материалы

Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. — Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Тилл У.С., Лаксон Д.Т. — Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление

Быкадырова Галина Владимировна, Ткачев Александр Юрьевич, Бормонотов Евгений Николаевич, Битюцкая Лариса Александровна — Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники

Быкадорова Галина Владимировна, Ткачев Александр Юрьевич — Практикум по курсу "Проектирование и технология электронной компонентной базы"

Романовский М. Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы кремниевых биполярных ИС

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Нелаев, В. В. — Работа в среде пакета ATHENA для проектирования технологии интегральных микросхем : учеб. пособие по дисциплине “Основы САПР в микроэлектронике” для студентов специальностей I-41 01 02 “Микро- и наноэлектр. технологии и системы”, I-41 01 03 “Квант. информ

Пачинин, В. И. — Расчет и проектирование полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем. Физика полупроводниковых приборов (часть 4) : метод. указания и контр. задания для студентов специальностей I-42 01 01 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы» и I-4

Бургер Р., Донован Р. (ред.) — Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Анохин В.З., и др. — Практикум по химии и технологии полупроводников

Никоненко В.А. — Моделирование в среде MathCAD. Практикум

Смирнов Л.С. (ред.) — Вопросы радиационной технологии полупроводников

Вавилов, Киселев, Мукашев. — Дефекты в кремнии и на его поверхности

Маллер Р., Кейминс Т. — Элементы интегральных схем

Сугано Т.,Икома Т.,Такэсиси Е. — Введение в микроэлектронику

Most frequently terms

диффузии

концентрации

окисления

уравнения

процесса

приборов

моделирования

примесей

распределения

процессов

поверхности

уравнение

концентрация

уравнений

зависимость

коэффициент

напряжения

распределение

имплантации

элементов

дефектов

результаты

значения

пуассона

скорости

температуры

подложки

носителей

различных

результате

диффузия